LMG1210RVRR/WQFN-19/力管理IC
LMG1210は調節可能なdeadtimeの機能、非常に小さい伝搬遅延およびシステム効率を最大限に活用するために一致する3.4 ns高側の低側を特色にするデシメートル波、高性能の適用のために設計されている200-V、半橋MOSFETおよびガリウム窒化物の電界効果トランジスタ（GaN FET）の運転者である。この部分はまた供給電圧にもかかわらず5-Vのゲート ドライブ電圧を保障する内部LDOを特色にする。
いろいろな適用の最高の性能を可能にするためには、LMG1210はデザイナーが高側のブートストラップのコンデンサーを満たすように最適のブートストラップのダイオードを選ぶことを可能にする。内部スイッチは高側のブートストラップは充電し過ぎ、逆の回復充満を最小にすることを低い側面が、効果的に防いでいるときブートストラップのダイオードをを離れて回す。GaN FETを渡る付加的な寄生キャパシタンスはより少しにより1 pFに付加的な転換の損失を減らすために最小になる。
LMG1210は2つの操作量モードを特色にする:独立した入力モード（IIM）およびPWMモード。でIIMそれぞれ出力の熱心な入力によって独立制御。PWMモードで2つの補足の出力信号は単一の入力から発生し、ユーザーは各端のための0から20 nsに不感時間を合わせできる。LMG1210は– 40°Cから125°Cに広い温度較差に作動し、low-inductance WQFNのパッケージで提供される。
| 製品特質 | 属性値 |
|---|---|
| テキサス・インスツルメント | |
| 製品カテゴリ: | ゲートの運転者 |
| MOSFETのゲートの運転者 | |
| 高側の低側 | |
| SMD/SMT | |
| WQFN-19 | |
| 2運転者 | |
| 2出力 | |
| 3 A | |
| 4.75 V | |
| 18ボルト | |
| 500 ps | |
| 500 ps | |
| - 40 C | |
| + 125 C | |
| LMG1210 | |
| 巻き枠 | |
| テープを切りなさい | |
| MouseReel | |
| ブランド: | テキサス・インスツルメント |
| 論理のタイプ: | TTL |
| 最高のTurn-Off遅れ時間: | 18 ns |
| 最高のTurn-On遅れ時間: | 18 ns |
| 敏感な湿気: | はい |
| タイムの最高を離れて: | 18 ns |
| 作動の供給の流れ: | 380のuA |
| 出力電圧: | 5ボルト |
| 製品タイプ: | ゲートの運転者 |
| 最高伝搬遅延-: | 20 ns |
| Rdsのオン下水管源の抵抗: | 400のmOhms |
| 工場パックの量: | 3000 |
| 下位範疇: | PMIC -力管理IC |
| 技術: | GaN |
| 商号: | GaN |
| 単位重量: | 0.000945 oz |
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