| 現在の限界 | 405 mA |
|---|---|
| 最高抵抗- | 1.2オーム |
| 作動の供給電圧 | 0ボルトから57ボルト |
| 最高使用率- | 78% |
| 日付コード | 22+ |
| 製品カテゴリ | 分離のアンプ |
|---|---|
| 様式の取付け | SMD/SMT |
| パッケージ/場合 | SON-8 |
| 入れられた電圧、分 | 2.9 V |
| 最高入れられた電圧 | 6ボルト |
| パッケージの詳細 | 標準/新しい/原物 |
|---|---|
| 開発のキット | TPS53513EVM-587 |
| 高さ | 1つのmm |
| 長さ | 4.5 mm |
| 幅 | 3.5 mm |
| 入れられた電圧 | 3ボルトから65ボルト |
|---|---|
| 出力電圧 | 3ボルトから100ボルト |
| 出力電流 | 20 A |
| 転換の頻度 | 50のkHzから1つのMHz |
| 日付コード | 22+ |
| パッケージの詳細 | 標準/新しい/原物 |
|---|---|
| 電圧評価 | 4 VDCから80 VDC |
| 現在の評価 | 1.2ミリアンペア |
| パッケージ/場合 | DFN-12 |
| 実用温度 | - 40 ℃への+ 85 ℃ |
| パッケージの詳細 | 標準/新しい/原物 |
|---|---|
| Vds -下水管源の絶縁破壊電圧 | 50ボルト |
| ID -連続的な下水管の流れ | 160 mA |
| Rdsのオン下水管源の抵抗 | 4オーム |
| Vgs -ゲート源の電圧 | - 12ボルト、+ 12ボルト |
| パッケージの詳細 | 標準/新しい/原物 |
|---|---|
| パッケージ/場合 | SOIC-8 |
| 出力電流 | 1.5 A |
| 最高供給電圧- | 24ボルト |
| 実用温度 | -40℃～+150℃ |
| パッケージの詳細 | 標準/新しい/原物 |
|---|---|
| 製品カテゴリ | MOSFET |
| パッケージ/場合 | D2PAK-3 |
| トランジスター極性 | N-Channel |
| チャネルの数 | 1つのチャネル |
| パッケージの詳細 | 標準/新しい/原物 |
|---|---|
| 製品カテゴリ | MOSFET |
| 技術 | Si |
| Vgs -ゲート源の電圧 | - 20ボルト、+ 20ボルト |
| 最低の実用温度 | - 55 ℃ |
| 製品カテゴリ | MOSFET |
|---|---|
| 技術 | Si |
| 製品タイプ | MOSFET |
| 下位範疇 | MOSFETs |
| 日付コード | 22+ |
