REF02BU/SOIC-8/力管理IC
記述
この高圧N-channel力MOSFETはMDmesh™ DM2の速い回復ダイオード シリーズの部分である。それは非常に低い回復それを適したする低いRDSと（）結合される充満（Qrr）および橋地勢学およびZVSの偏移コンバーターの最もデマンドが高い高性能のコンバーターそして理想の時間（trr）を提供する。
| 製品特質 | 属性値 |
|---|---|
| STMicroelectronics | |
| 製品カテゴリ: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| D2PAK-3 | |
| N-Channel | |
| 1つのチャネル | |
| 600ボルト | |
| 34 A | |
| 93のmOhms | |
| - 20ボルト、+ 20ボルト | |
| 3ボルト | |
| 56 NC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 250 W | |
| 強化 | |
| AEC-Q101 | |
| MDmesh | |
| STB45N60DM2AG | |
| 巻き枠 | |
| テープを切りなさい | |
| MouseReel | |
| ブランド: | STMicroelectronics |
| 構成: | 単一 |
| 落下時間: | 6 ns |
| 高さ: | 4.6 mm |
| 長さ: | 10.4 mm |
| プロダクト: | 力のMOSFETs |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 上昇時間: | 27 ns |
| 工場パックの量: | 1000 |
| 下位範疇: | MOSFETs |
| トランジスター タイプ: | 1つのN-Channel力MOSFET |
| タイプ: | 高圧 |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間: | 85 ns |
| 典型的なTurn-On遅れ時間: | 29 ns |
| 幅: | 9.35 mm |
| 単位重量: | 0.139332 oz |
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