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DMN55D0UT-7/SOT-523-3/MOSFET

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DMN55D0UT-7/SOT-523-3/MOSFET
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特徴
仕様
パッケージの詳細: 標準/新しい/原物
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧: 50ボルト
ID -連続的な下水管の流れ: 160 mA
Rdsのオン下水管源の抵抗: 4オーム
Vgs -ゲート源の電圧: - 12ボルト、+ 12ボルト
Qg -ゲート充満: 295 PC
基本情報
起源の場所: 中国
ブランド名: Diodes Incorporated
モデル番号: DMN55D0UT-7
お支払配送条件
パッケージの詳細: SOT-523-3
受渡し時間: 在庫
支払条件: L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 私達に連絡しなさい
製品の説明

DMN55D0UT-7/SOT-523-3/MOSFET

 

記述

 

このMOSFETはオン州の抵抗(RDS設計されている()最小にするように)を今までのところではそれを高性能力管理適用にとって理想的にさせる優秀な転換の性能を維持するため。

 

製品特質 属性値
組み込まれるダイオード
製品カテゴリ: MOSFET
Si
SMD/SMT
SOT-523-3
N-Channel
1つのチャネル
50ボルト
160 mA
4オーム
- 12ボルト、+ 12ボルト
700 mV
295 PC
- 55 C
+ 150 C
200 MW
強化
DMN55
巻き枠
テープを切りなさい
MouseReel
ブランド: 組み込まれるダイオード
構成: 単一
前方相互コンダクタンス-分: 180氏
高さ: 0.75 mm
長さ: 1.6 mm
プロダクト: MOSFETの小さい信号
製品タイプ: MOSFET
工場パックの量: 3000
下位範疇: MOSFETs
トランジスター タイプ: 1つのN-Channel
幅: 0.8 mm
単位重量: 0.000071 oz

 

DMN55D0UT-7/SOT-523-3/MOSFET 0

DMN55D0UT-7/SOT-523-3/MOSFET 1

DMN55D0UT-7/SOT-523-3/MOSFET 2

DMN55D0UT-7/SOT-523-3/MOSFET 3

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