CSD17578Q3AT/SMD/SMT/テキサス・インスツルメント/VSONP-8/MOSFETs
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6.2商標
NexFET、E2Eはテキサス・インスツルメントの商標である。
他の商標はすべてそれぞれの所有者の特性である。
| 製品特質 | 属性値 |
|---|---|
| テキサス・インスツルメント | |
| 製品カテゴリ: | MOSFET |
| RoHS: | 細部 |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| VSONP-8 | |
| N-Channel | |
| 1つのチャネル | |
| 30ボルト | |
| 20 A | |
| 8.2のmOhms | |
| - 20ボルト、+ 20ボルト | |
| 1.5 V | |
| 7.9 NC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 37 W | |
| 強化 | |
| NexFET | |
| CSD17578Q3A | |
| 巻き枠 | |
| テープを切りなさい | |
| MouseReel | |
| ブランド: | テキサス・インスツルメント |
| 構成: | 単一 |
| 落下時間: | 1 ns |
| 前方相互コンダクタンス-分: | 48 S |
| 高さ: | 0.9 mm |
| 長さ: | 3.15 mm |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 上昇時間: | 6 ns |
| 工場パックの量: | 250 |
| 下位範疇: | MOSFETs |
| トランジスター タイプ: | 1つのN-Channel |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間: | 13 ns |
| 典型的なTurn-On遅れ時間: | 2 ns |
| 幅: | 3つのmm |
| 単位重量: | 0.000967 oz |
