LCMXO2-1200HC-4MG132C/SMD/SMT/格子/FPGA -システム内プログラム可能なゲート・アレー/巻き枠
の適用範囲が広い論理の建築•256から6864 LUT4sそして18から334のI/Osの超低い力装置が付いている6つの装置•高度の65 nmの低い電力プロセス•22のµWの予備発電低い•プログラム可能で低い振動差動I/Os•予備モードおよび他の節電の選択の埋め込まれ、分散記憶•240までのkbitsのsysMEM™によって埋め込まれるブロックのRAM•54までのkbits分散RAM•熱心な先入れ先出し法の制御論理ののオン破片のユーザーのフラッシュ・メモリ•ユーザーのフラッシュ・メモリの256までのkbits•100,000は周期を書く•入手しやすい直通のウィッシュポーン、SPI、I2 CおよびJTAGインターフェイス•柔らかいプロセッサPROMとして使用することができるまたはフラッシュ・メモリとしては源同期入力/出力を前設計した•入力/出力の細胞のDDRの記録•熱心なギヤ論理•表示I/Osのための7:1の伝動装置•一般的なDDR、DDRX2、DDRX4•DQSサポートの高性能、適用範囲が広い入力/出力の緩衝の専用されていたDDR/DDR2/LPDDRの記憶•プログラム可能なsysIO™の緩衝は広範囲インターフェイスを支える:– LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2 – LVTTL – PCI – LVDSのバスLVDS、MLVDS、RSDS、LVPECL – SSTL 25/18 – HSTL 18 – Schmittの制動機入力、0.5までVヒステリシス•I/Osサポート熱いsocketing•オン破片の差動終了•プログラム可能なプルアップかプルダウン式 モード
製品特質 | 属性値 |
---|---|
格子 | |
製品カテゴリ: | FPGA -システム内プログラム可能なゲート・アレー |
RoHS: | 細部 |
LCMXO2 | |
1280のLE | |
104入力/出力 | |
2.375 V | |
3.6 V | |
0 C | |
+ 85 C | |
SMD/SMT | |
CSBGA-132 | |
皿 | |
ブランド: | 格子 |
分散RAM: | 10 kbit |
埋め込まれたブロックのRAM - EBR: | 64 kbit |
最高の動作周波数: | 269のMHz |
敏感な湿気: | はい |
論理配列のブロック-実験室の数: | 160実験室 |
作動の供給の流れ: | 3.49 mA |
作動の供給電圧: | 2.5 V/3.3 V |
製品タイプ: | FPGA -システム内プログラム可能なゲート・アレー |
工場パックの量: | 360 |
下位範疇: | プログラム可能な論理IC |
総記憶: | 138 kbit |
商号: | MachXO2 |
単位重量: | 0.280322 oz |